雖然現(xiàn)在DDR2內(nèi)存嶄露頭角，但是由于產(chǎn)能問題導(dǎo)致價格高高在上，難以普及。也正是因為這個原因，許多原本應(yīng)該支持DDR2的主板紛紛改為支持DDR內(nèi)存，另一方面，K8平臺仍然以DDR內(nèi)存為主。因此在DDR2內(nèi)存產(chǎn)能問題解決之前，DDR內(nèi)存還將是市場中的中流砥柱。
年底內(nèi)存價格不斷下滑，正是升級內(nèi)存的好時機，不過市場上內(nèi)存品牌繁多，質(zhì)量參差不齊，因此我們對市場上主流的內(nèi)存進行了最嚴格的最優(yōu)化參數(shù)測試、超頻測試和穩(wěn)定性、兼容性測試，打算購買內(nèi)存的讀者可以根據(jù)我們的測試結(jié)果找到最適合自己的內(nèi)存產(chǎn)品。
DDR內(nèi)存，讓我們看清楚
速度無極限
根據(jù)JEDEC（美國電子器件工程聯(lián)合委員會）官方制定的DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來看，目前最高的DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)仍然是PC3200，即我們常說的DDR400。DDR400也分不同等級，根據(jù)內(nèi)存工作參數(shù)的不同，分為DDR400A、DDR400B和DDR400C三個等級。CL-tRCD-tRP參數(shù)值也在一定程度上影響到內(nèi)存的性能，這幾個值越小，內(nèi)存信號傳輸?shù)难舆t時間就越短，自然性能更好。大家在購買的時候可以注意內(nèi)存上的標(biāo)貼，正規(guī)的品牌產(chǎn)品都會標(biāo)出內(nèi)存的詳細工作參數(shù)（內(nèi)存參數(shù)名詞解釋見小貼士）。
另外，雖然各大內(nèi)存廠商都已經(jīng)推出了DDR433/466/500的產(chǎn)品，不過這些都是廠商自己定義的標(biāo)準(zhǔn)，并沒有一個統(tǒng)一制定的官方標(biāo)準(zhǔn)。
對于超頻玩家來說，能達到更高工作頻率的DDR500甚至DDR600才能滿足他們的要求。特別是在最新的Socket939 K8平臺上，由于K8的倍頻沒有鎖定，完全可以通過降倍頻升外頻來提升系統(tǒng)性能，而在這樣的平臺上，達到300MHz以上的外頻也是很尋常的事情，這樣的需求也刺激內(nèi)存廠商不斷推出更高頻率的產(chǎn)品。
做工很重要
對于內(nèi)存來說，最重要的就是穩(wěn)定性，而內(nèi)存的做工水平直接會影響到內(nèi)存的穩(wěn)定性以及超頻性能。我們在這里只介紹幾點辨別內(nèi)存做工水平的簡單方法。
PCB板設(shè)計：6層PCB板是標(biāo)配。為了在高頻下得到更好的抗干擾能力，JEDEC和Intel對DDR400內(nèi)存的設(shè)計都要求必須使用6層PCB板�？偟膩碚f，PCB板上采用大面積鋪銅的設(shè)計，一方面有利于散熱，另一方面也有助于抗干擾，PCB上元件的排列過于緊密的話，元件之間的信號干擾也會增大，不利于內(nèi)存的穩(wěn)定性。
金手指工藝：目前內(nèi)存金手指鍍金的工藝主要有電鍍和化學(xué)鍍兩種。采用電鍍工藝的金手指相對于采用化學(xué)鍍的要耐用一些。要識別電鍍或化學(xué)鍍非常簡單。從圖中可以看到，由于制作工藝的需要，采用電鍍工藝的金手指的末端一般會有一個小引腳，而采用化學(xué)鍍就不會有這個引腳，用這個方法就可以初步判斷金手指采用的鍍金工藝。
內(nèi)存上的阻容元件：雜牌內(nèi)存為什么這么便宜？我們可以從幾個地方來簡單地鑒別內(nèi)存是否偷工減料。第一就是金手指旁邊的一排電容，雜牌內(nèi)存一般把這一排全省掉了；第二，內(nèi)存的第一個金手指引出的線路中應(yīng)該有一個電容，用來過濾雜波；第三，一般來說每一個內(nèi)存芯片的參考電壓針腳引出的電路（一般線路都比較寬）中也應(yīng)該有去耦電容。
通過上面簡單的方法我們已經(jīng)可以初步判斷一款內(nèi)存的做工好壞。不過內(nèi)存顆粒本身的品質(zhì)對于內(nèi)存的超頻性來說也是非常重要的。所以出現(xiàn)做工普通的內(nèi)存但超頻性能出眾這樣的情況也并不奇怪。但可以肯定的是，做工好的內(nèi)存在穩(wěn)定性和耐用程度上，大大好于做工差的產(chǎn)品。
小貼士
內(nèi)存參數(shù)名詞解釋
CAS(Column Address Strobe) Latency：列地址選通脈沖延遲時間，即SDRAM內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要延遲多少個時鐘周期才執(zhí)行該指令。這個參數(shù)越小，內(nèi)存的反應(yīng)速度越快，可以設(shè)置為2.0、2.5、3.0。我們一般簡稱其為CL值。
RAS-to-CAS delay（tRCD）：從內(nèi)存行地址轉(zhuǎn)到列地址的延遲時間。即從SDRAM行地址選通脈沖(RAS，Row Address Strobe)信號轉(zhuǎn)到列地址選通脈沖信號之間的延遲周期，也是從1～15可調(diào)節(jié)，越小越快。
Row-precharge delay（tRP）：內(nèi)存行地址選通脈沖信號預(yù)充電時間。調(diào)節(jié)在刷新SDRAM之前，行地址選通脈沖信號預(yù)充電所需要的時鐘周期，從1～7可調(diào)，越小越快。
Row-active delay（tRAS）：內(nèi)存行地址選通延遲時間，供選擇的數(shù)值有1～15，數(shù)值越小越快。
測試方案簡述
本次測試我們一共收到了來自6家廠商的送測產(chǎn)品，另外還加入了在市場中購買的HY散裝DDR400以及英飛凌DDR400內(nèi)存�？紤]到目前實際應(yīng)用的情況，我們選擇的是256MB×2的雙通道套裝，另外還加入了幾款DDR500以上、512MB高端內(nèi)存的測試。測試分三大部分，第一部分是優(yōu)化時序測試，主要考查內(nèi)存所能達到的最低延遲參數(shù)（用CPU-Z讀取內(nèi)存SPD參數(shù)信息）；第二部分包括超頻測試，考查內(nèi)存在默認參數(shù)下能達到的最高頻率與性能；第三部分，針對目前的主流主板進行兼容性測試（分別在K8T800Pro、i915G、i865PE平臺上運行SuperPI測試）。
測試平臺方面，主板和CPU的選擇非常重要。首先主板必須能支持AGP/PCI鎖頻，否則在高外頻下，同時升高的AGP/PCI頻率會導(dǎo)致顯卡、聲卡工作異常，使得超頻失敗。CPU的選擇也很重要，因為只有在FSB頻率∶DRAM頻率為1∶1的情況下，才能完全發(fā)揮內(nèi)存的性能。因此，我們選擇了ABIT IS7（i865PE）主板和一塊可以調(diào)節(jié)倍頻的工程版P3 3.2C GHz，在設(shè)置CPU倍頻為8的情況下，CPU可以穩(wěn)定工作在270MHz外頻以上。此外，為了保證CPU不成為超頻的瓶頸，我們還將CPU電壓提升到1.625V。而為了完全發(fā)揮DDR500以上內(nèi)存的實力，我們選擇了可以達到300MHz以上外頻的Athlon64 3000+和ABIT KV8 Pro主板。
至于用于考查內(nèi)存超頻后穩(wěn)定性的軟件，我們選擇了SuperPi，同時其它性能測試軟件也可以在一定程度上考驗內(nèi)存的穩(wěn)定性。不過，即便內(nèi)存可以長時間正常運行SuperPi，但是也不能完全保證內(nèi)存在更高強度、更長時間的運行情況下也能穩(wěn)定工作，但這并不影響我們對內(nèi)存穩(wěn)定性的對比測試，這樣的測試結(jié)果仍然具備參考價值。
最后根據(jù)測試的結(jié)果，我們會選出超頻性能和性能突出的產(chǎn)品進行推薦。
測試平臺
CPU: P4 3.2C GHz（工程版，倍頻設(shè)置為8，工作電壓設(shè)置為1.625V）
Athlon64 3000+（Socket754，將倍頻設(shè)置為5）
P4 530 （3.0E GHz）
主板：ABIT IS7 （i865PE）
ABIT KV8 Pro （K8T800Pro）
ASUS P5GDC DELUXE （i915P）
顯卡：Radeon 9800SE
硬盤：希捷7200.7 80GB
操作系統(tǒng)：WinXP Professional English+SP1
DirectX9.0c
測試軟件：SuperPi 8.1（用于拷機）
CPU-Z 1.24（用于讀取SPD信息）
SiSoftware Sandra2004SP2
PCMark04
DOOM3
注：測試中內(nèi)存電壓統(tǒng)一設(shè)置為2.7V，DDR400內(nèi)存的最優(yōu)化參數(shù)測試在ASUS P5GDC-DELUXE主板上完成，DDR400組超頻測試在ABIT IS7主板上完成，DDR500以上組的最優(yōu)化參數(shù)與超頻測試在 ABIT KV8 Pro主板上完成，超頻以5MHz為一級逐級遞增。
參測產(chǎn)品一覽
DDR400組(256MB×2)
A-DATA威剛
Vitesta DDR400
單條參考價格：390元
威剛給自己的中低端產(chǎn)品命名為V-DATA系列，而高端則命名為A-DATA。本次測試我們收到的是兩條A-DATA Vitesta DDR400 256MB內(nèi)存。和低端的V-DATA不同，A-DATA系列加裝了紅色的散熱片，在超頻的時候有更好的散熱性能。把A-DATA Vitesta散熱片取下來后，可以看到，A-DATA Vitesta采用了PSC（力晶半導(dǎo)體）的5ns顆粒，編號為A2S56D30BTP -5，剛好符合DDR400的要求。
A-DATA Vitesta的PCB板邊沿還標(biāo)上了PCB的層號，正面可以看到第一、二、三層的編號，反面可以看到第四、五、六層的編號。
A-DATA Vitesta整體做工中規(guī)中矩，不過既然A-DATA Vitesta定位高端，那它一定有過人之處，那就是它的CL-tRCD-tRP參數(shù)為2.5-3-3，達到了DDR400A的標(biāo)準(zhǔn)。對于不超頻的用戶，A-DATA Vitesta能提供DDR400內(nèi)存所能達到的最好性能。
Apacer宇瞻
金牌DDR400
單條參考價格：340元
宇瞻送測的是Apacer金牌DDR400內(nèi)存。最引人注目的地方就是內(nèi)存顆粒上的Apacer金屬標(biāo)牌。Apacer金牌DDR400內(nèi)存采用了和A-DATA DDR400同樣的PCB板設(shè)計（惟一不同的是金手指采用化學(xué)鍍金工藝）。雖然在元件方面，并不算特別突出，但Apacer金牌DDR400內(nèi)存采用了英飛凌的顆粒，編號為HYB25D256807BT -5，標(biāo)準(zhǔn)頻率為200MHz，也是口碑比較好的型號。
Apacer金牌DDR400的CL-tRCD-tRP參數(shù)為3-4-4，只達到DDR400C的標(biāo)準(zhǔn)，不過Apacer這款內(nèi)存的CL-tRCD-tRP參數(shù)對于這樣的內(nèi)存顆粒來說設(shè)置得也太保守了。
FUHAO富豪
富豪DDR400
單條參考價格：335元
富豪本次送測的DDR400內(nèi)存和以往的產(chǎn)品不一樣，沒有采用現(xiàn)代的內(nèi)存顆粒，而是采用的是茂矽的內(nèi)存顆粒，編號為V58C2256804SAT5B，可以看出是5ns的產(chǎn)品，標(biāo)準(zhǔn)頻率為200MHz，符合DDR400的要求。以前金士頓也采用過茂矽的顆粒，而且那一批內(nèi)存的超頻性能相當(dāng)不錯。在做工方面，F(xiàn)UHAO富豪DDR400并沒有特別引人注目的地方，算是中規(guī)中矩，用料也比較充足，沒有空焊點，金手指采用了電鍍的工藝。FUHAO富豪DDR400的CL-tRCD-tRP參數(shù)為3-3-3，達到DDR400B的水平，即便是在不超頻的情況下，也能提供不錯的性能。
Hynix散裝內(nèi)存
散裝 DDR400
單條參考價格：270元
我們購買的這種Hynix散裝內(nèi)存是市場中最常見的內(nèi)存，在做工方面，可以說是最差的，金手指旁邊的元件全部被省略了，去耦電容一個也沒有，留下一堆空焊點，PCB板背面沒有采用大面積鋪銅，金手指采用的是化學(xué)鍍工藝，而且看起來也不夠飽滿。可以說在做工方面，這款內(nèi)存是偷工減料的“典范”。而且，內(nèi)存標(biāo)簽上的內(nèi)存規(guī)格也不符合標(biāo)準(zhǔn)，把DDR400標(biāo)成了PC400。
不過，我們購買到的Hynix散裝內(nèi)存采用的現(xiàn)代內(nèi)存顆粒，編號為HY5DU56822BT -D43（不過雜牌內(nèi)存的顆粒編號經(jīng)常會有變動，同時也有打磨等情況發(fā)生），批號為333AP，按道理這一批內(nèi)存顆粒在DIY玩家中的口碑還可以。當(dāng)然，大家最好不要購買雜牌散裝內(nèi)存，因為現(xiàn)在大部分散裝內(nèi)存都是采用打磨過的內(nèi)存顆粒，像我們購買的這種相對“好成色”的散裝內(nèi)存已經(jīng)不容易買到了。同時，盡管測試時它沒有出現(xiàn)故障，但我們非常懷疑它能否長期穩(wěn)定使用。
花絮：購買該內(nèi)存時，經(jīng)銷商居然直接告訴我們：我賣的內(nèi)存是打磨的，你要不要？我們對這樣的坦白非常驚訝。
Infineon英飛凌
星河 DDR400
單條參考價格：365元
這一對Infineon英飛凌原裝內(nèi)存是我們從市場中購買而來，品牌為“星河”，從標(biāo)簽上可以看出它是在馬來西亞封裝的。包裝十分堅固、豪華。Infineon英飛凌內(nèi)存采用英飛凌的HYB25D256800CE -5顆粒，符合200MHz工作頻率標(biāo)準(zhǔn)。值得一提的是，Infineon英飛凌的標(biāo)簽上遵守JEDEC的官方規(guī)定，標(biāo)注了內(nèi)存模組的型號：PC3200U-30330-A0。而其它參測的內(nèi)存除了三星原廠內(nèi)存外，都沒有按此規(guī)定進行標(biāo)注。
可以看到Infineon英飛凌內(nèi)存的整體做工相當(dāng)豪華，PCB板上的阻容元件比普通內(nèi)存要多得多，去耦電容一個不少，而且大量使用了蛇形線，有利于減少干擾信號，保持內(nèi)存的穩(wěn)定性。PCB板背面采用大面積鋪銅的設(shè)計，可以增強散熱效果，同時也可以屏蔽一些干擾信號，同時，金手指也采用了電鍍工藝，保證了良好的導(dǎo)電性和耐用性�？梢奍nfineon英飛凌內(nèi)存在PCB板設(shè)計方面相當(dāng)出色，在做工方面可以說是不惜成本。
Infineon英飛凌內(nèi)存的SPD信息顯示它的CL-tRCD-tRP參數(shù)為3-3-3，達到DDR400B的標(biāo)準(zhǔn)，不過對于它使用的顆粒來說，這個數(shù)值顯得相對保守了。
KingMAX勝創(chuàng)
炫彩 DDR400（TinyBGA）
單條參考價格：330元
本次KingMAX勝創(chuàng)送測的是炫彩系列的DDR400模組。采用了KingMAX自己獨特的紫紅色TinyBGA顆粒，編號為KDL388N4AA -44，4.4ns的顆粒對于DDR400（5ns）標(biāo)準(zhǔn)來說，還有一定的超頻空間。KingMAX勝創(chuàng)炫彩DDR400采用了金色的PCB板，由于TinyBGA芯片面積比TSOP小很多，它的PCB板面積也比使用TSOP顆粒的要小不少，這個特點對于機箱內(nèi)空間比較擠的用戶來說有一定好處，同時更小的面積也使得內(nèi)存的發(fā)熱量更小，有利于系統(tǒng)的穩(wěn)定。
KingMAX勝創(chuàng)炫彩DDR400默認CL-tRCD-tRP參數(shù)為2.5-4-4，不在JEDEC的標(biāo)準(zhǔn)之內(nèi)，不過我們估計它應(yīng)該與DDR400B規(guī)格比較接近。
Kingston金士頓
ValueRAM DDR400
單條參考價格：315元
Kingston金士頓送測的是它的ValueRAM系列產(chǎn)品，大家都知道，金士頓的ValueRAM主要突出性價比，面向中低端市場，而HyperX系列才是面向發(fā)燒友的產(chǎn)品。雖然是面向中低端用戶，Kingston金士頓ValueRAM的做工仍然毫不含糊，PCB板上可以清楚地看到每一個內(nèi)存顆粒的參考電壓引腳前的去耦電容，并且在PCB板背后，大量采用了鋪銅的設(shè)計方式以增強散熱效果、減少干擾。產(chǎn)品的標(biāo)簽上標(biāo)明了內(nèi)存模組的編號，并且采用了激光防偽技術(shù)，大家在購買的時候可以注意這一點，以免買到假冒產(chǎn)品。
目前金士頓的ValueRAM系列采用的是自己的內(nèi)存顆粒，編號為D3208DL3T-5A，額定工作電壓為2.6V，高于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V。CL-tRCD-tRP參數(shù)為3-3-3，符合DDR400B的標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)然，金士頓內(nèi)存一向可以將CL-tRCD-tRP參數(shù)設(shè)置得相當(dāng)?shù)�，以獲得標(biāo)準(zhǔn)頻率下最好的性能，相信這一款也不例外。
Samsung三星
金條 DDR400
單條參考價格：350元
來自三星原廠的三星金條整體做工相當(dāng)不錯，PCB板設(shè)計與金士頓ValueRAM比較相似，而又有少許不同之處。PCB板上元件齊全，沒有任何空焊點，而且焊點飽滿整齊，可見制造工藝精良。另外，在PCB板的邊緣也標(biāo)上了“Samsung”的字樣，大家可以憑借這一點辨別三星金條內(nèi)存的真?zhèn)�。除了在PCB板背面使用鋪銅設(shè)計外，金條 DDR400的金手指也采用了電鍍工藝，保證了金手指的耐用性。內(nèi)存標(biāo)簽上按照JEDEC的官方標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)出了產(chǎn)品的規(guī)格：PC3200U-30331-Z，從這串編號就可以看出，這款內(nèi)存的CL-tRCD-tRP參數(shù)為3-3-3，符合DDR400B的規(guī)格，這與我們用CPU-Z所測SPD信息相符合。作為國際大廠，三星遵守國際標(biāo)準(zhǔn)的做法值得肯定。
這款金條DDR400采用了三星的內(nèi)存顆粒，編號為K4H560838F -TCCC，根據(jù)編號定義，我們可以知道它的額定工作頻率為200MHz，CL值為3。
DDR500以上組（512MB）
A-DATA 威剛
Vitesta DDR500
參考價格：880元
Vitesta DDR500內(nèi)存和Vitesta DDR400采用了同樣的PCB板設(shè)計，可以觀察到PCB板的層數(shù)編號，做工十分精細。只是由于容量增加，所以在PCB板背面也有8顆內(nèi)存顆粒，因此一共有16顆內(nèi)存顆粒。
拆開Vitesta DDR500豪華的散熱片，我們可以看到，Vitesta DDR500采用的是A-DATA自己的內(nèi)存顆粒，編號為ADD8608A8A -4B，可以看出這是4ns的顆粒，符合250MHz即DDR500的工作頻率要求。
Apacer 宇瞻
宇瞻 DDR500
參考價格：1100元
宇瞻這款DDR500也采用了雙面共16顆內(nèi)存顆粒的設(shè)計，PCB板上可以看到Apacer的金屬字樣。它采用了三星的內(nèi)存顆粒，編號為K4H560838F -TCCD，這也是三星推出的符合DDR500標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存顆粒，工作頻率為250MHz。
我們仔細觀察后發(fā)現(xiàn)，這款DDR500內(nèi)存上使用的三星顆粒并不全是一批次的產(chǎn)品，其中有4顆內(nèi)存顆粒采用了不同批次的產(chǎn)品，不過編號還是K4H560838F -TCCD。也許這樣會在一定程度上影響內(nèi)存的超頻性能。
KingMAX 勝創(chuàng)
Hardcore DDR500
參考價格：900元
KingMAX把自己的DDR500高端產(chǎn)品命名為Hardcore，相信也是對其性能有十足的信心。這款Hardcore DDR500也采用了雙面16顆內(nèi)存顆粒的設(shè)計，同時為了保證良好的散熱性，Hardcore DDR500還加裝了散熱片。
將散熱片取下來后，可以看到它采用的是現(xiàn)代的內(nèi)存顆粒，編號為HY5DU56822DT -D5，滿足250MHz工作頻率的需要，不過，我們發(fā)現(xiàn)這款內(nèi)存采用了多個不同批次的HY5DU56822DT -D5顆粒，到底它會不會影響內(nèi)存的超頻性能呢？我們后面的測試會證明一切。
Kingston 金士頓
HyperX DDR533
參考價格：不詳
本次金士頓送測的HyperX內(nèi)存是一款DDR533規(guī)格的套裝產(chǎn)品，共有兩條，總?cè)萘繛?GB，這也是專門為雙通道用戶做準(zhǔn)備的，不過我們本次只對其中一條進行測試，方便大家對比。
拆開牢固的散熱片之后，我們可以看到它采用的也是HY5DU56822CT -D5內(nèi)存顆粒，同樣采用了不同批次的顆粒，這款顆粒的額定工作頻率是250MHz，那么這款內(nèi)存其實就已經(jīng)被略微地超了頻了，當(dāng)然，我們相信金士頓的技術(shù)能保證它在266MHz的頻率下也能穩(wěn)定地工作。
最優(yōu)化參數(shù)測試
在最優(yōu)化參數(shù)下工作的內(nèi)存可以獲得不超頻情況下最好的性能，這也是考查內(nèi)存穩(wěn)定性的一個指標(biāo)。不過對于DDR500以上規(guī)格的內(nèi)存，由于讓它們工作在額定頻率下的時候系統(tǒng)本身就處于高度超頻狀態(tài)，受到系統(tǒng)的影響難以統(tǒng)一對比的規(guī)則，所以我們在這里只對DDR500以上內(nèi)存進行超頻測試而不進行最優(yōu)化參數(shù)測試。另外，雖然JEDEC只對CL-tRCD-tRP參數(shù)進行了規(guī)定，但是在這三個參數(shù)相同的情況下，我們還會加入tRAS這個參數(shù)來進行考核。
測試中英飛凌DDR400和金士頓DDR400表現(xiàn)相當(dāng)出色，達到了2-3-3-5的參數(shù)值，可惜的是在沖擊2-2-2-5的時候失敗了，無法完成測試。有意思的是，做工最爛的Hynix雜牌內(nèi)存居然也達到了2-3-3-5的水平，這比許多名牌內(nèi)存還要好，這在很大程度上是沾了HY5DU56822BT-D43顆粒的光，這也說明有時候采用好的顆粒比好的做工還要重要（盡管測試成績?nèi)绱�，但是我們奉勸消費者，一定要優(yōu)先考慮內(nèi)存的使用穩(wěn)定性和兼容性）。另外，Apacer的DDR400也表現(xiàn)不錯，達到了2-3-3-6的水平，這與它采用英飛凌顆粒也有很大關(guān)系。
大家從測試結(jié)果也可以看到，在DDR400頻率下，即便是采用最優(yōu)化參數(shù)，內(nèi)存性能也只比默認參數(shù)時高很少一點點，遠遠比不上頻率提升帶來的性能差異。不過，可以達到更低的延遲參數(shù)也就從另一方面體現(xiàn)了內(nèi)存的穩(wěn)定性，因此在選購的時候也顯得很有意義。
極限頻率測試
我們所選擇的P4平臺可以輕松地達到300MHz的外頻，而另一個K8平臺可以達到320MHz外頻，因此不會給參測的內(nèi)存造成瓶頸。并且我們選擇的是FSB∶DRAM為1∶1，因此大家可以清楚地看到頻率提升帶來的內(nèi)存帶寬提升（如果不是1∶1則其中有一方會影響內(nèi)存帶寬）。
對DDR400內(nèi)存進行測試的時候，我們采用了P4平臺，在這個平臺上，英飛凌和Apacer的產(chǎn)品表現(xiàn)得最為出色，能穩(wěn)定地在250MHz下運行完所有的測試，達到了DDR500的水平。而且大家可以看到，從DDR400提升到DDR500之后，內(nèi)存帶寬提升了8%左右。另外，KingMAX、富豪、三星的DDR400內(nèi)存都達到了240MHz的水平。A-DATA的DDR400在測試中達到235MHz的頻率，算是DDR470的水平，還算不錯。只是Kingston的表現(xiàn)有點出人意料，只達到了225MHz的水平，Hynix雜牌內(nèi)存墊底，只達到了215MHz的水平。
對DDR500以上組進行超頻測試的時候，我們采用的是Athlon64 3000+和ABIT KV8 Pro的平臺，在倍頻為5的情況下，可以輕松上到320MHz以上的外頻，能達到320MHz外頻的DDR500內(nèi)存并不多，因此CPU和主板不是瓶頸。
A-DATA的DDR500采用A-DATA自己的4ns顆粒，在測試中表現(xiàn)突出，非常穩(wěn)定地工作在280MHz的頻率下，相當(dāng)于DDR560的水平，而采用三星-TCCD顆粒的Apacer DDR500和采用現(xiàn)代 -D5顆粒的金士頓HyperX DDR533也表現(xiàn)不錯，達到了275MHz的頻率，相當(dāng)于DDR550。另一款采用現(xiàn)代 -D5顆粒的KingMAX DDR500稍微差一點，不過也達到了265MHz的水平，也算不錯了。
總 結(jié)
從本次測試來看，所有參加測試的品牌內(nèi)存都非常穩(wěn)定地完成了所有的測試，沒有出現(xiàn)任何問題，所以在兼容性和穩(wěn)定性上，參測的大廠品牌內(nèi)存都值得信賴。大家也可以看到，在i865PE平臺上測試時，雙通道DDR400的確表現(xiàn)出了明顯的內(nèi)存帶寬優(yōu)勢，當(dāng)使用英飛凌DDR400和Apacer DDR400超到DDR500后，內(nèi)存實測帶寬更是達到了52XXMB/s的水平，相對DDR400時提升不少，更何況此時CPU外頻也達到了250MHz，系統(tǒng)整體性能得到了較大的提升。
由于內(nèi)存的超頻性能在很大程度上由內(nèi)存顆粒決定，所以采用好的內(nèi)存顆粒甚至比好的做工更為重要，當(dāng)然，如果顆粒和做工都出色的話，一定是非常優(yōu)秀的內(nèi)存產(chǎn)品。本次橫向測試中的英飛凌DDR400和Apacer 金牌DDR400都采用了英飛凌的內(nèi)存顆粒（編號為HYB25D256800CE -5和HYB25D256807BT -5），超頻性能及整體性能都相當(dāng)出色，因此獲得了我們的“編輯推薦獎”。同時，采用茂矽顆粒（編號為V58C2256804SAT5B）的富豪內(nèi)存和采用三星顆粒（編號為K4H560838F -TCCC）的三星原廠內(nèi)存、采用自己內(nèi)存顆粒的KingMAX 炫彩內(nèi)存（編號為KDL388N4AA -44）也表現(xiàn)不錯，可以達到DDR480的水平。
DDR500以上組里，采用A-DATA自己顆粒的A-DATA DDR500獲得不錯的成績，達到了DDR560的水平，獲得了我們的“編輯推薦獎”。采用三星K4H560838F -TCCD顆粒的Apacer DDR500和采用HY5DU56822CT -D5顆粒的金士頓HyperX DDR533緊隨其后，達到DDR550的水平。采用現(xiàn)代HY5DU56822DT -D5顆粒的KingMAX DDR500表現(xiàn)稍遜于前兩者，只達到DDR530的水平。
當(dāng)然，并不是每個人的CPU都可以達到這么高的外頻，那么我們的最優(yōu)化參數(shù)測試就體現(xiàn)出了價值。在不超頻的時候，使用最優(yōu)化參數(shù)也能獲得一定程度的內(nèi)存性能提升。最優(yōu)化參數(shù)測試里，金士頓的ValueRAM DDR400以及英飛凌的DDR400表現(xiàn)最出色，CL-tRCD-tRP-tRAS參數(shù)可以達到2-3-3-5的水平。并且金士頓內(nèi)存還提供了終生質(zhì)保，這一點也非常重要。
主流的P4平臺和K8平臺，對規(guī)格的最低要求已經(jīng)是DDR400，而對于超頻玩家來說，將處理器外頻超到200MHz以上，甚至是300MHz也是很普通的事情，因此DDR內(nèi)存還將繼續(xù)進化，玩家的需求也會從超頻性能出眾的DDR400逐漸過渡到DDR500、DDR533甚至DDR600，直到明年晚些時候DDR2內(nèi)存大行其道的時候，DDR內(nèi)存的歷史使命才正式完成。